金刚石膜层工艺研发高级工程师
发布时间:2026-06-01
岗位职责:
• 负责金刚石/类金刚石(DLC)膜层工艺研发与技术迭代,主导MPCVD、HFCVD、CVD/PVD等制备工艺开发,优化气源配比、温度、压力、等离子体参数,提升膜层纯度、致密度、均匀性、结合力与生长效率。
• 开展膜层形核、生长、掺杂、应力调控、表面改性等机理研究,建立工艺—结构—性能数据库,形成标准化规范,支撑高导热、高绝缘、超硬耐磨、光学级等高端膜层开发。
• 负责衬底预处理、腔室维护、工艺稳定化与量产工艺落地,解决附着力差、开裂、针孔、非金刚石相、均匀性不良等关键技术问题。
• 熟练操作Raman、SEM、AFM、XRD、XPS、纳米压痕、热导率/电阻率/气密性等表征与测试设备,完成数据解析、失效分析与方案闭环。
• 主导新产品/新工艺导入、样品试制、验证与规格制定,输出工艺规程、DFMEA、控制计划、专利、技术标准等成果。
• 跟踪超宽禁带半导体、热管理、精密刀具、光学窗口等领域前沿技术,对接生产/质量/设备,推动良率提升、成本优化与产能爬坡。
• 参与研发项目立项、实验设计(DOE)、结题与知识产权申报,带领团队完成技术攻关与工艺固化。
任职要求:
1.全日制本科及以上学历,材料物理、材料科学与工程、凝聚态物理、应用化学、微电子、无机非金属等相关专业;硕士、博士或有产业化经验者优先。
2.8+ 年 CVD 金刚石或薄膜工艺经验,曾在元素六/Diamond Foundry/住友电工/Ametek/Plansee 等企业工作
3.精通金刚石膜/DLC/超硬薄膜工艺研发经验,精通MPCVD/HFCVD/CVD至少一种主流制备技术;金刚石膜与金属基体的结合力优化、大面积均匀沉积、低温沉积、膜层应力控制等关键技术能力、有半导体热沉、光学涂层、刀具涂层、电子器件经验优先。
4.精通真空系统、等离子体技术、气相沉积原理与设备调试,能独立完成工艺开发与参数优化。
5.熟练使用Raman、SEM、AFM、XRD、XPS、纳米压痕等表征手段,具备深度材料分析与失效定位能力。
6.掌握实验设计(DOE)、数据分析、工艺能力建模,能输出标准化工艺文件与专利。
7.熟悉质量体系(ISO9001/IATF16949)与研发流程,具备量产转化与工艺管控能力。
8.极强的技术攻坚与问题解决能力;严谨的研发思维与文档能力;良好的跨部门协同与项目管理能力;能阅读英文文献、跟踪前沿技术。
9.加分项:有金刚石厚膜、单晶外延、掺杂导电金刚石、自剥离/转移、大面积均匀沉积项目经验;有专利/标准/核心期刊论文。